RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1381
3693
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link