RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1381
3693
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Сравнения RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link