RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1381
3693
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Porównanie pamięci RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link