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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
65
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
65
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
1836
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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