RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
2196
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link