RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Confronto
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1570
2196
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Segnala un bug
×
Bug description
Source link