RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
65
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
37
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3075
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link