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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
63
Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
26
Velocità di lettura, GB/s
8.1
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2679
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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