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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2679
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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