RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
75
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
75
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
1548
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link