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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
75
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
75
读取速度,GB/s
13.2
14.3
写入速度,GB/s
9.3
6.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
1548
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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