RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2926
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link