RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2926
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link