RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
65
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1921
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link