RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
43
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
21
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2980
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link