RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2620
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link