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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
13.2
14.5
写入速度,GB/s
9.3
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2620
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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