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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
9.0
17.3
写入速度,GB/s
5.7
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
2762
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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