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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,837.1
13.7
写入速度,GB/s
2,027.0
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2967
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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