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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比較する
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
総合得点
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,027.0
11.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
52
周辺 -79% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
29
読み出し速度、GB/s
4,837.1
13.7
書き込み速度、GB/秒
2,027.0
11.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
794
2967
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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