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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
4,937.3
15.9
写入速度,GB/s
2,061.2
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2855
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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