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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
3,510.5
15.1
写入速度,GB/s
1,423.3
10.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2310
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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