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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2354
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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