RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2490
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link