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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
43
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2490
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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