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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
59
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
59
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2025
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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