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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
64
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
64
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2052
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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