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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
51
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
51
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2314
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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