RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
71
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
1767
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link