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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
2340
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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