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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
1740
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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