Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Note globale
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Note globale
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 31
    Autour de 16% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.5 left arrow 10.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.8 left arrow 5.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.5 left arrow 10.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.8 left arrow 5.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1932 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons