RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3733
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link