RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2825
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link