RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
51
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
38
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2825
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link