RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno -55% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
33
Velocità di lettura, GB/s
15.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2922
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link