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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
4506
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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