RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
21.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
4506
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link