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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2430
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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