Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Puntuación global
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 40
    En -21% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1806 left arrow 2235
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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