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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
40
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2235
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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