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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2616
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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