RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
40
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1806
2616
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link