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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3310
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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