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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
56
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
56
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2307
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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