RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
69
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
69
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1794
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link