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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2935
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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