RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 28
    Около -22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.2 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 13.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 2935

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
модули RAM
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
модули RAM