RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
69
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
69
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1794
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link