RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2416
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link